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2SJ202
 型号：  2SJ202
 标记/丝印/代码/打字：  H13
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-323/SC70
 批号：  05+NOPB2400
 库存数量：  8800
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ202 H13 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 7V
最大漏极电流Id Drain Current -100mA/-0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 23Ω @-1A,-4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.1--2.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance Complementary to 2SK1580
描述与应用 MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻 对管是2SK1580
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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