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2SJ238
 型号：  2SJ238
 标记/丝印/代码/打字：  Z6
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ238 Z6 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.68Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.8--2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications field effect transistor silicon p channel mos type high speed, high current dc-dc converter, relay drive and motor drive applications 4-volt gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode
描述与应用 场效应晶体管的 硅p沟道MOS类型 高速，高电流DC-DC转换， 继电器驱动器和电机驱动应用 4伏栅极驱动 低漏源电阻 高正向转移导纳 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式
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