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2SJ284 AM 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
15V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-3A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
1.5Ω @-1.5A,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
Description & Applications |
Low ON resistance Very high-speed switching Low voltage drive |
描述与应用 |
低导通电阻 非常高的速度开关 低电压驱动 |
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在线阅读 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SJ281 |
J281 |
SANYO |
05+ |
TO-252/DPAK/TP-FA |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
2SJ281 |
J281 |
SANYO |
05+ |
TO-252/DPAK/TP-FA |
500 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
2SJ284 |
AM |
SANYO |
05+4rnopb |
SOT-23/SC-59 |
15000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
2SJ284 |
AM |
MITSUBISHI |
05+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
2310 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ285 |
BM |
SANYO |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2100 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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