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2SJ318STR J318 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-7V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.28Ω @-1A,-4V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.4V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
Description & Applications |
Low ON resistance |
描述与应用 |
低导通电阻 |
技术文档PDF下载 |
在线阅读 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SJ314 |
J314 |
FUJI |
05+ |
TO-252/DPAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ315 |
J315 |
TOSHIBA |
05+ |
TO-252/DPAK |
700 |
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2SJ315 |
J315 |
TOSHIBA |
05+ |
TO-252/DPAK |
50 |
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2SJ316 |
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SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
3000 |
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2SJ316 |
JG |
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05+ |
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700 |
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2SJ317NY |
NY |
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05+ |
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1000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ317NY |
NY |
HITACHI |
05+ROHS |
SOT-89/SC-62/UPAK |
1200 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ318STR |
J318 |
HITACHI |
05+ |
TO-252/DPAK |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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