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2SJ366 J366 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.05Ω @-2.5A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
25W |
| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ360 |
Z8 |
TOSHIBA |
11+ROHS |
SOT-89/SC-62 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ361RYTR |
RY |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/SC-62/UPAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ361RYTR |
RY |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/SC-62/UPAK |
800 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ366 |
J366 |
HITACHI |
05+ |
TO-252/DPAK |
2700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ364-Q |
4MQ |
Panasonic |
05+ |
SOT-323/SC70 |
0 |
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| 2SJ364-R |
4MR |
Panasonic |
05+ |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-P沟道JFET P-Channel |
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| 2SJ364-Q |
4MQ |
Panasonic |
05+ |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-P沟道JFET P-Channel |
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| 2SJ360 |
Z8 |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-89 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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