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2SJ418 J418 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-8A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.60Ω @4A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Features · Low ON-resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 4V drive. |
| 描述与应用 |
·低导通电阻。 ·超高速开关。 ·4V驱动器 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ412 |
J412 |
TOSHIBA |
05+ |
TO-220FL/SM |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ416 |
JJ |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ416 |
JJ |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
100 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ417 |
J417 |
SANYO |
05+ |
TO-252/DPAK/TP-FA |
2300 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ418 |
J418 |
SANYO |
05+ |
TO-252/DPAK/TP-FA |
150 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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