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2SJ451ZK
 型号：  2SJ451ZK
 标记/丝印/代码/打字：  ZK
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  2900
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ451ZK ZK 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -0.2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.23Ω @1-00mA,-4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Features ? Low on-resistance. ? Low drive power ? 2.5 V gate drive device. ? Small package (MPAK).
描述与应用 ?低导通电阻。 ?低驱动功率 ?2.5 V门驱动装置。 ?小包装（MPAK），
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