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2SJ463A
 型号：  2SJ463A
 标记/丝印/代码/打字：  H21
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-323/SC70
 批号：  05+NOPB42KM+8K
 库存数量：  131400
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ463A H21 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 6Ω @1-0mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.7V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications FEATURES ? Can be driven by a 2.5 V power source. ? Low Gate Cut-off Voltage.
描述与应用 ?可以由一个2.5 V电源。 ?低栅极截止电压
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