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2SJ517YYTL YY 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.18Ω @-1A,-4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5--1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Features ? Low on-resistance RDS (on) = 0.18 ? typ. (at VGS = –4 V, ID =–1 A) ? Low drive current ? High speed switching ? 2.5 V gate drive devices. |
| 描述与应用 |
?低导通电阻 RDS（ON）=0.18Ω（典型值）。 （在VGS=-4 V，ID=-1 A） ?低驱动电流 ?高速开关 ?2.5 V门驱动装置 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ511 |
ZF |
TOSHIBA |
09+rohs |
SOT-89/SC-62 |
4000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ511 |
ZF |
TOSHIBA |
09+ROHS |
SOT-89/SC-62 |
4688 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ517YYTL |
YY |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/SC-62/UPAK |
15000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ517YYTL |
YY |
HITACHI |
05+NOPB300 |
SOT-89/SC-62/UPAK |
1450 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ518AZ |
AZ |
RENESAS |
05+ |
SOT-89/SC-62/UPAK |
0 |
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| 2SJ518AZ |
AZ |
HITACHI |
05+ |
SOT-89/SC-62/UPAK |
0 |
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