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2SJ530STL
 型号：  2SJ530STL
 标记/丝印/代码/打字：  J530
 厂家：  HITACHI
 封装：  TO-252/DPAK
 批号：  05+
 库存数量：  820
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ530STL J530 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -15A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.08Ω @-8A,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 30W
Description & Applications Features ?Low on-resistance RDS(on)= 0.08? typ. ?4V gate drive devices. ?High speed switching.
描述与应用 ?低导通电阻 RDS（ON）=0.08Ω（典型值）。 ?4V栅极驱动装置。 ?高速开关
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