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2SJ624 XH 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.043Ω @-2.5A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45--1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
FEATURES ? 1.8 V drive available ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 54 m? MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.5 A) RDS(on)2 = 71 m? MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –2.5 A) RDS(on)3 = 108 m? MAX. (VGS = –1.8 V, ID = –1.5 A) |
| 描述与应用 |
?1.8 V可驱动 ?低通态电阻 的RDS（on）= 54mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-2.5 A） 的RDS（on）=71mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-2.5 A） 的RDS（on）3 =108mΩ最大。 （VGS=-1.8 V，ID=-1.5“） |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ621 |
XG |
NEC |
05+2R07nopb |
SOT-23/SC-59 |
15000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ621 |
XG |
台产 |
05+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
2500 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ621 |
XG |
NEC |
08NOPB12KM+1400 |
SOT-23/SC-59 |
22470 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ624 |
XH |
NEC |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
4500 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ624 |
XH |
NEC |
5 |
SOT-23/SC-59 |
93000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ625 |
XM |
NEC |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ625 |
XM |
NEC |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2200 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ626 |
XN |
NEC |
06NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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