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2SK1079 Z4 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
100V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
600mA/0.6A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.95Ω/Ohm @300mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8-2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Features Field Effect transistor Silicon N Channel MOS Type High speed,High Current DC-DC Converter Relay Drive and Motor Drive Applications |
| 描述与应用 |
特性 场效应晶体管 硅N沟道MOS型 高速，高电流DC-DC转换器 继电器驱动器和电机驱动应用 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK1070 |
PID |
HITACHI |
05+ |
SOT-23/SC-59/MPAK |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1070 |
P1D |
HITACHI |
05+NOPB |
SOT-23/SC-59/MPAK |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1070 |
PIC |
HITACHI |
04+ |
SOT-23/SC-59/MPAK |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
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| 2SK1078 |
Z3 |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-89/PW-Mini |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1078 |
Z3 |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-89/PW-Mini |
1244 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1079 |
Z4 |
TOSHIBA |
10+ROHS |
SOT-89/PW-Mini |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1079 |
Z4 |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-89/PW-Mini |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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