2SK1215 IGE 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
5V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel MOS FET Features Silicon N-Channel MOS FET VHF amplifier Application |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS FET 特性 硅N沟道MOS FET VHF放大器应用 |
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