2SK1228 4V 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
50mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
27Ω/Ohm @10mA,2.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5-1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching application High-speed switching Wide frequency band Incorporating a built-in gate protection-diode Allowing 2.5V drive |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关应用 高速开关 宽频带 集成了内置栅极保护二极管 允许2.5V驱动 |
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