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2SK1586
 型号：  2SK1586
 标记/丝印/代码/打字：  NI
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1586 NI 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.2Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.3-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications N-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power source Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Has high voltage and high-speed switching characteristics
描述与应用 N沟道MOS FET的切换 直接被带有5V电源的IC驱动 不必考虑驱动电流，因为它的高输入阻抗 具有高电压和高速开关特性
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