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2SK160
 型号：  2SK160
 标记/丝印/代码/打字：  K4
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  02+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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2SK160 K4 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 0.5~1.5ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.25~-4.5v
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR The 2SK160 , 2SK160A are designed for hybrid IC which is designed for use in analog-switch Micro package
描述与应用 N-沟道硅结型场效应晶体管 2SK1602SK160A混合IC设计的，其目的是用于在模拟开关 微型封装
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