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2SK1772
 型号：  2SK1772
 标记/丝印/代码/打字：  HY
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-89/UPAK
 批号：  05+
 库存数量：  600
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1772 HY 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.4Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching application Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device - - - can be driven from 5 V source Suitable for DC-DC converter, motor drive, power switch, solenoid drive
描述与应用 硅N沟道MOS FET 应用 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 4 V栅极驱动装置---可从5 V电源驱动 适用于DC-DC转换器，电机驱动，电源开关，螺线管驱动
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