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2SK1875-BL
 型号：  2SK1875-BL
 标记/丝印/代码/打字：  RBL
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-323/SC-70/USM
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK1875-BL RBL 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 32mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL JUNCTION TYPE Features Silicon N-Channel Junction FET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION AM HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATION HIGH Yfs LOW Ciss
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅沟道结型 特性 硅N沟道结型场效应管 高频放大器的应用 AM高频放大器的应用 音频放大器应用 高Yfs 低Ciss
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