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2SK1961
 型号：  2SK1961
 标记/丝印/代码/打字：  K1961
 厂家：  SANYO
 封装：  T0-252
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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2SK1961 K1961 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 15v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -15v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 40~75ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -1.2~-4.5v
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Silicon N-Channel Junction FET Applications High-frequency low-noise amp applications Features Adoption of FBET process Very low noise figure
描述与应用 硅N沟道结型场效应晶体管应用 高频低噪声放大器的应用 特点 采纳FBET过程 非常低的噪声图
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