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2SK2009
 型号：  2SK2009
 标记/丝印/代码/打字：  KM
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  100
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2009 KM 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.2Ω/Ohm @50mA,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Features Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage Excellent switching times Low drain-source ON resistance Small package Enhancement-mode
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 高输入阻抗 低Ciss栅极阈值电压 优良的开关时间 低漏源导通电阻 小型封装 增强型
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