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2SK2099
 型号：  2SK2099
 标记/丝印/代码/打字：  
 厂家：  FUJI
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2099  的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.6Ω/Ohm @3A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications N-CHANNEL MOS FET High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
描述与应用 N沟道MOS-FET 特性 N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 无二次击穿 低驱动功率 高电压 VGS=±30V保证 防雪崩
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