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2SK2111
 型号：  2SK2111
 标记/丝印/代码/打字：  NU
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2111 NU 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.24Ω/Ohm @500mA.10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2110 is a N-channel MOS FET of a vertical type and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ideal for driving the actuators, such as motors and DC/DC converters. Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Low ON resistance High switching speed Low parasitic capacitance
描述与应用 MOS场效应晶体管 N沟道MOS FET高速开关 2SK2110是一个N沟道MOS FET的垂直型 是一种开关元件，可以直接驱动的输出 IC工作在5 V。 该产品具有低导通电阻和一流的开关 特征，并且是用于驱动致动器的理想选择，如 马达和DC / DC转换器。 特性 MOS场效应晶体管 低导通电阻 高开关速度 低寄生电容
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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