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2SK2373ZE
 型号：  2SK2373ZE
 标记/丝印/代码/打字：  ZE
 厂家：  RENESAS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  5700
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2373ZE ZE 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon N-Channel MOS FET Features Silicon N-Channel MOS FET Low frequency power switching Low on-resistance Small package Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for low signal load switch
描述与应用 硅N沟道MOS FET 特性 硅N沟道MOS FET 低频电源开关 低导通电阻 小型封装 低驱动电流 4 V栅极驱动器可驱动从5 V电源 适合低信号负载开关
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