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2SK2399
 型号:  2SK2399
 标记/丝印/代码/打字:  K2399
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2399 K2399 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.17Ω/Ohm @2.5A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L 2?π?MOSV) Chopper Regulator, DC?DC Converter and Motor Drive Applications Features Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC?DC Converter and Motor Drive Applications 4 V gate drive Low drain?source ON resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement?mode
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型(L 2-π-MOSV) 斩波稳压器,DC-DC转换器和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS型 斩波稳压器,DC-DC转换器和电机驱动 应用 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强型
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