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2SK2503TL
 型号：  2SK2503TL
 标记/丝印/代码/打字：  K2503
 厂家：  ROHM
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  540
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2503TL K2503 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.11Ω/Ohm @2.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance Fast switching speed Wide SOA (safe operating area) 4V drive Drive circuits can be simple Parallel use is easy
描述与应用 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 开关速度快 宽SOA（安全工作区） 4V驱动 驱动电路可以很简单 并行使用容易
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