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2SK2615
 型号：  2SK2615
 标记/丝印/代码/打字：  ZA
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-89/PW-Mini
 批号：  04+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2615 ZA 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.23Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2?π?MOSV) DC?DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Features Silicon N Channel MOS Type DC?DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Low drain?source ON resistance : RDS (ON) = 0.23 ? (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 2.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 60 V) Enhancement?mode
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（L2-π-MOSV） DC-DC转换器，继电器驱动和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS型 DC-DC转换器，继电器驱动和电机驱动 应用 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.23Ω（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=2.0 S（典型值） 低漏电流：IDSS=100μA（最大值）（VDS=60 V） 增强型
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