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2SK2685
 型号：  2SK2685
 标记/丝印/代码/打字：  ZT
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-343/CMPAK-4/SC70-4
 批号：  02+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2685 ZT 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation
Description & Applications UHF low noise amplifier Features UHF low noise amplifier Excellent low noise characteristics. Fmin = 0.83dB Typ (3V, 10mA, 2GHz) High associated gain. Ga = 17 dB Typ (3V, 10mA, 2GHz) High voltage. VDS= 6 or more voltage. Small package. (CMPAK–4)
描述与应用 超高频低噪声放大器 特性 超高频低噪声放大器 优越的低噪点特性。 FMIN=典型0.83分贝（3V，10mA，2GHz） 高相关的收益。 GA =17 dB典型值（3V，10mA，2GHz） 高电压。 VDS=6或以上电压。 小包装。 （CMPAK-4）
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