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2SK2825
 型号：  2SK2825
 标记/丝印/代码/打字：  KK
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-523/SSM
 批号：  05+ROHS
 库存数量：  4300
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2825 KK 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 7Ω/Ohm @10mA,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1V
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment High Speed Switch Applications Analog Switch Applications Features Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment High Speed Switch Applications Analog Switch Applications High input impedance 1.5 V gate drive Low gate threshold voltage: Vth = 0.5~1.0 V Small package
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 对于便携式设备 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS型 对于便携式设备 高速开关应用 模拟开关应用 高输入阻抗 1.5 V门驱动 低栅极阈值电压VTH =0.5?1.0 V 小型封装
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