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2SK2925STR
 型号：  2SK2925STR
 标记/丝印/代码/打字：  K2925
 厂家：  HITACHI
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  1400
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK2925STR K2925 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 10A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.06Ω/Ohm @5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS=0.060 ? typ. 4V gate drive device can be driven from 5V source
描述与应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻 RDS=0.060Ω典型。 4V栅极驱动器可以驱动自5V电源
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