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2SK303
 型号:  2SK303
 标记/丝印/代码/打字:  V2
 厂家:  SANYO
 封装:  SOT-23/SC-59/CP
 批号:  05+
 库存数量:  2500
 所属分类:  场效应管FET
  结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel
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2SK303 V2 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 0.6~1.5ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -1~-4v
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications ?Silicon N-Channel Junction FET Low-Frequency General- Purpose Amp Applications Ideal for potentiometers, analog switches, low frequency amplifiers, constant current supplies, and impedance conversion.
描述与应用 ?硅N沟道结型场效应管低频率 通用放大器应用 非常适于电位器,模拟开关,低频放大器,恒流电源,和阻抗转换。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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2SK3018 KN ROHM 05+07nopb1700 SOT-323/SC-70/UMT3 1650 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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2SK302-Y TY TOSHIBA 05+ SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel 查看
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