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2SK3119
 型号：  2SK3119
 标记/丝印/代码/打字：  KS
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-89/SC-62/PCP
 批号：  05+
 库存数量：  500
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3119 KS 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.2Ω/Ohm @1A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 3.5W
Description & Applications N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用 N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特性 N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动
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