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2SK3320-GR XG 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
50v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-50v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
2.6~6.5ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-0.37~-1v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
?Silicon N-Channel Junction FET FOR LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS |
| 描述与应用 |
?硅N沟道结型场效应管 低噪声音频放大器应用 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK3320-GR |
XG |
TOSHIBA |
11+ROHS |
SOT-353/SC-88A/USV |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3325B-ZK-E2-AY |
K3325B |
NEC |
08NOPB |
TO-263 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3325B-ZK-E2 |
SK3325 |
NEC |
08NOPB |
TO-263 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3320-GR |
XG |
TOSHIBA |
11+ROHS |
SOT-353/SC-88A/USV |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3320-Y |
XY |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-353/SC-88A/USV |
15000 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3320-Y |
XY |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-353/SC-88A/USV |
3000 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK3325B-ZK-E2-AY |
K3325B |
NEC |
08+ROHS |
TO-263 |
0 |
场效应管FET-其它Other |
查看 |
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