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2SK3557
 型号：  2SK3557
 标记/丝印/代码/打字：  IR6
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3557 IR6 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 15V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-Channel Junction Silicon FET Low-Noise HF Amplifier Applications ? AM tuner RF amplifier. ? Low noise amplifier. Features Low-Noise HF Amplifier Applications Large ?yfs. Ultrasmall-sized package permitting 2SK3557-applied sets to be made smaller and slimer Ultralow noise figure
描述与应用 N沟道结硅FET 低噪声高频放大器的应用 ?AM调谐器RF放大器。 ?低噪声放大器。 特性 低噪声高频放大器的应用 大?YFS。 超小尺寸的包装允许2SK3557应用设置作出较小slimer的 超低噪声系数
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