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2SK3576
 型号：  2SK3576
 标记/丝印/代码/打字：  XK
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  06+NOPB
 库存数量：  36000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK3576 XK 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.04Ω/Ohm @2A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION he 2SK3576 is a switching device which can be driven directly by a 2.5 V power source. The device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. Features N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING 2.5V drive available Low on-state resistance
描述与应用 MOS场效应晶体管 N-沟道MOS场效应晶体管的开关 说明 他2SK3576是一个开关装置，可驱动直接由2.5 V电源。 该器件具有低通态电阻和优良的 开关特性，是适合于应用程序，如电源开关便携机等。 特性 N沟道MOS场效应晶体管 对于开关 2.5V可用驱动 低通态电阻
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