2SK3653B CF 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-20v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
0.15~0.24ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-0.37~-1v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM FEATURES ? Low noise: ?108.5 dB TYP. (VDD = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 k?) ? Especially suitable for audio and telephone ? Super thin thickness package: t = 0.37 mm TYP. |
| 描述与应用 |
N-沟道硅结型场效应晶体管 流脑的阻抗变换器 特点 ?低噪音： -108.5 dB（典型值）。 （VDD= 2.0 V，C= 5 pF的，RL=2.2kΩ上） ?特别适用于音频和电话 ?超薄厚度包： ?T =0.37毫米TYP。 |
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