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2SK368-gr
 型号：  2SK368-gr
 标记/丝印/代码/打字：  KAG
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+nopb
 库存数量：  9
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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2SK368-gr KAG 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 100v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -100v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 2.6~6.5ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.4~-3.5v
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications ?Silicon N-Channel Junction FET Audio Frequency and High Voltage Amplifier Applications Constant Current Applications ? High breakdown voltage: VGDS = ?100 V (min) ? High input impedance: IGSS = ?1.0 nA (max) (VGS = ?80 V) ? Small package
描述与应用 ?硅N沟道结型场效应管 音频频率和高电压放大器的应用 恒流应用 ?高击穿，电压：VGDS= -100 V（分钟） ?高输入阻抗：IGSS= -1.0 NA（最大值）（VGS=-80 V） ?小型封装
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