2SK386209L(2SK38620TL) 5D 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-20v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
0.18~0.315ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
?Silicon N-channel junction FET ?For impedance conversion in low frequency ?For electret capacitor microphone Features Low noise voltage NV High voltage gain GV Thin package : TSSSMini3-F1 (1.2 mm × 1.2 mm × 0.33 mm) |
| 描述与应用 |
?硅N沟道结型场效应管 ?对于低频阻抗转换中 ?对于驻极体电容式麦克风 特点 低噪声电压NV 高电压增益GV TSSSMini3 F1 薄的包装：（1.2毫米×1.2毫米×0.33毫米） |
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