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2SK536
 型号：  2SK536
 标记/丝印/代码/打字：  BJ
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  03+2RNOPB
 库存数量：  9000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK536 BJ 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 20Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.3-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-CHANNEL Enhancement MOS Silicon FET Analog Switching application Features N-Channel Enhancement MOS Silicon FET Analog Switch Application Large Yfs Small ON resistance
描述与应用 N沟道增强型MOS FET硅 模拟开关应用 特性 N沟道增强MOS FET硅 模拟开关应用 大Yfs 小通态电阻
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