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2SK601
 型号：  2SK601
 标记/丝印/代码/打字：  0
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+06NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK601 0 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 80V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications Silicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching Low ON-resistance RDS(on) High-speed switching Allowing to be driven directly by CMOS and TTL Mini-power type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用 硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关 低导通电阻RDS（on） 高速开关 允许直接驱动CMOS和TTL门 小功率型封装，允许瘦身套 通过自动插入磁带/盒包装
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