2SK612-Z-T1 K612 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.003Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8-3.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
10W |
| Description & Applications |
N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING Features Fast switching Silicon N-Channel POWER MOS FET Industrial use Suitable for switching power supplies，actuator controls，and pulse circuits Low Ciss No second breakdown 4 V gate drive-logical level |
| 描述与应用 |
用于高速开关的N沟道MOSFET 特性 快速开关 硅N沟道功率MOS FET 工业用 适用于开关电源，执行器控制装置和脉冲电路 低Ciss 无二次击穿 4栅极驱动电压逻辑电平 |
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