2SK738-Z-E1 K738 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.1Ω/Ohm @1A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
FAST SWITCHING Features Fast switching Silicon N-Channel POWER MOS FET Industrial use Suitable for switching power supplies，actuator controls，and pulse circuits Low Ciss No second breakdown 4 V gate drive-logical level Designed for hybrid integrated circuit |
| 描述与应用 |
快速切换 特性 快速开关 硅N沟道功率MOS FET 工业用 适用于开关电源，执行器控制装置和脉冲电路 Ciss低 无二次击穿 4栅极驱动电压逻辑电平 专为混合集成电路 |
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