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2SK879-Y
 型号：  2SK879-Y
 标记/丝印/代码/打字：  JY
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-323/SC70
 批号：  21+ROHS
 库存数量：  9000
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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2SK879-Y JY 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -50v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 1.2~3ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.4~-5v
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications ?Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type ?General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications ?High breakdown voltage: VGDS = ?50 V ? High input impedance: IGSS = ?1.0 nA (max) (VGS = ?30 V) ? Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k?, f = 120 Hz)
描述与应用 ?场效应晶体管的硅N沟道结型 ?通用和阻抗转换器和 电容式麦克风应用 ?高击穿电压：VGDS=-50 V ?高输入阻抗：IGSS= -1.0 NA（最大值）（VGS=-30 V） ?低噪音：NF=0.5分贝（典型值）（RG=100kΩ的，F =120赫兹）
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