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2SK974
 型号：  2SK974
 标记/丝印/代码/打字：  K974
 厂家：  HITACHI
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  100
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK974 K974 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.15Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device -Can be driven from 5 V source Suitable for motor drive, DC-DC converter,power switch and solenoid drive
描述与应用 硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速功率开关 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 4 V栅极驱动装置 可以从5 V电源驱动 适用于电机驱动，DC-DC转换器，电源开关和螺线管驱动
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