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3SK0241ORL
 型号:  3SK0241ORL
 标记/丝印/代码/打字:  DUR
 厂家:  Panasonic
 封装:  SOT-143
 批号:  05+
 库存数量:  100
 所属分类:  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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3SK0241ORL DUR 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 13V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 8.5mA-35mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications High Frequency FETs. GaAs N-Channel MES FET. For VHF-UHF amplification. Features: . Low noise-figure (NF) . Large power gain PG . Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing.
描述与应用 高频场效应管, 砷化镓N沟道MES场效应管, 用于甚高频-超高频放大, 低噪声系数(NF), 大功率增益PG ,小型封装,通过带/盒包装允许缩减集的大小和自动插入.
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
3SK0241ORL DUR Panasonic 05+ SOT-143 100 场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel 查看
3SK301 A Panasonic 05+ SOT-143 9000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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3SK126-O UC TOSHIBA 11+ROHS SOT-143/SOT-24/SC-61 15000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK126-Y UC TOSHIBA 05+ SOT-143/SOT-24/SC-61 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK126-Y UC TOSHIBA 05+ SOT-143/SOT-24/SC-61 1835 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK127 UD TOSHIBA 05+ SOT-143/SOT-24/SC-61 2500 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK127 UE TOSHIBA 05+ SOT-143/SOT-24/SC-61 100 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK131 V13 NEC 05+ SOT-143 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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3SK131 V13 NEC 05+ SOT-143 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
3SK131A V16 NEC 05+ SOT-143 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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