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3SK301 A 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
15V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
30mA |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
0-1.3/0.15-1.35V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
Description & Applications |
lMini-type package allowing downsizing of the sets and automatic |
描述与应用 |
lmini型封装 允许自动精简集 |
技术文档PDF下载 |
在线阅读 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
3SK301 |
A |
Panasonic |
05+ |
SOT-143 |
9000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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3SK301 |
A |
Panasonic |
05+ |
SOT-143 |
700 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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3SK302 |
B |
Panasonic |
05+ |
SOT-143 |
1200 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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3SK302 |
B |
Panasonic |
05+ |
SOT-143 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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3SK304 |
D |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-143/SOT-24/SC-61 |
2100 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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3SK307 |
C |
Panasonic |
05+ |
SOT-343/SC70-4 |
1700 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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3SK309 |
XV |
HITACHI |
05+ |
SOT-343/CMPAK–4 |
0 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
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