3SK181 EJ5 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
15V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10/10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0-1.3/0.1-1.6V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. AND MIXER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICON FET(DUAL GATE) High-frequency general-purpose amp applications FM tuners and VHF tuners Easy AGC(cut off at V=0V) High power gain and low noise figure High forward transfer admittance |
| 描述与应用 |
MOS场效应晶体管 射频放大器。 CATV调谐器和混频器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4引脚MINI模具 特性 N沟道增强MOS硅场效应管（双门） 高频通用放大器的应用 FM调谐器和甚高频调谐 易AGC（切断V=0V） 高功率增益和低噪声系数 高正向转移导纳 |
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