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3sk191
 型号：  3sk191
 标记/丝印/代码/打字：  NI
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-143/MPAK-4
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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3sk191 NI 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 12V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 10mA-32mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications GaAs DUAL-GATE FET. Applications: UHF TV TUNER RF AMPLIFIER.
描述与应用 砷化镓双栅场效应管. 应用: 超高频电视调谐器射频放大器.
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