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3SK274
 型号：  3SK274
 标记/丝印/代码/打字：  UN
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-343
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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3SK274 UN 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -9V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 6mA-20mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.7V -- -1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTER .GaAs N-channel Dual Gate MES FET. Applications: TV TUNER,UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS.
描述与应用 东芝场效应型晶体管 .砷化镓N沟道双栅MES FET .应用; 电视调谐器，超高频 RF放大器.
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