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3SK284
 型号:  3SK284
 标记/丝印/代码/打字:  U1
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-343
 批号:  05+
 库存数量:  150
 所属分类:  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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3SK284 U1 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -6V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 4mA-16mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.5V -- -1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTER .GaAs N-channel Dual Gate MES FET .Applications: TV TUNER,UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS.
描述与应用 东芝场效应型晶体管. 砷化镓N沟道双栅MES FET. 应用: 电视调谐器,超高频 RF放大器.
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