5HN01M YC 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.4V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
N-channel Silicon MOSFET General -Purpose Switching Device Application Features ? Low ON-resistance. ? Ultrahigh-speed switching. ? 4V drive. |
| 描述与应用 |
N沟道硅MOSFET 通用开关设备应用程序 ?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?4V驱动器 |
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